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兵器工業(yè)集團兩項技術(shù)入選2022年“科創(chuàng )中國”先導技術(shù)榜

近日，中國科協(xié)發(fā)布2022年“科創(chuàng )中國”系列榜單遴選結果，中國兵器工業(yè)集團微電子院“高性能MOEMS晶圓制造技術(shù)”、西安近代化學(xué)研究所“原子層沉積（ALD）納米制造技術(shù)”入選“科創(chuàng )中國”先導技術(shù)榜（產(chǎn)業(yè)基礎領(lǐng)域）。

高性能MOEMS晶圓制造技術(shù)

微電子院突破高性能MOEMS晶圓制造系列關(guān)鍵技術(shù)，多項技術(shù)和產(chǎn)品填補國內空白，建立了國際先進(jìn)、具有自主知識產(chǎn)權的技術(shù)體系，實(shí)現了光衰減器、光開(kāi)關(guān)陣列、可調光濾波器、MOEMS掃描鏡等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，這些產(chǎn)品是光交叉、智能光束控制和掃描成像的核心芯片，在5G通信、無(wú)人駕駛、智慧工業(yè)等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景，為國家發(fā)展戰略性新興產(chǎn)業(yè)提供重要支撐。

原子層沉積（ALD）納米制造技術(shù)

原子層沉積（ALD）是一種先進(jìn)的薄膜沉積與納米結構制造技術(shù)，借助該技術(shù)可對物質(zhì)表面組成及結構進(jìn)行原子層面的精確操縱，在材料表面引入特定的物理或化學(xué)性質(zhì)，實(shí)現多種納米材料的高精度可控合成。西安近代化學(xué)研究所原子層沉積表面工程與納米制造技術(shù)團隊具備開(kāi)展ALD先進(jìn)設備及工藝研發(fā)、高水平基礎研究以及工程化應用能力，通過(guò)自主創(chuàng )新，初步實(shí)現了ALD先進(jìn)設備及相關(guān)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，并且開(kāi)創(chuàng )性地將ALD技術(shù)成功應用于多個(gè)研究方向，成為推動(dòng)我國ALD技術(shù)發(fā)展的中堅力量。

據了解，“科創(chuàng )中國”榜單由中國科協(xié)設立，旨在通過(guò)優(yōu)選引領(lǐng)人物、新銳企業(yè)及先導技術(shù)，引導探索技術(shù)服務(wù)與交易新業(yè)態(tài)、新組織、新模式，激活創(chuàng )新引領(lǐng)的合作動(dòng)能，為實(shí)現高水平科技自立自強提供支撐。

來(lái)源/微電子院、西安近代化學(xué)研究所